NTMFD4901NFT1G - ON Semiconductor

Numéro d'article	NTMFD4901NFT1G
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual), Schottky
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10.3A, 17.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 15V
Puissance - Max	1.1W, 1.2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NTMFD4901NFT1G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	Détails
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