NTMD5836NLR2G

NTMD5836NLR2G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NTMD5836NLR2G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
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NTMD5836NLR2G Description détaillée

Numéro d'article NTMD5836NLR2G
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A, 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2120pF @ 20V
Puissance - Max 1.5W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Poids -
Pays d'origine -

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