NTLGD3502NT2G

NTLGD3502NT2G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NTLGD3502NT2G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
240000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.4851/pcs
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NTLGD3502NT2G Description détaillée

Numéro d'article NTLGD3502NT2G
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.3A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V
Puissance - Max 1.74W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 6-DFN (3x3)
Poids -
Pays d'origine -

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