NTH027N65S3F_F155 - ON Semiconductor

Numéro d'article	NTH027N65S3F_F155
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27.4 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 7.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	259nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7690pF @ 400V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	595W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247-3
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	NTH027N65S3F-F155	ON Semiconductor	SF3 FRFET 650V 27MOHM	Détails
	NTH027N65S3F_F155	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 27 MOHM TO247 P	Détails