NTD20N06-1G

NTD20N06-1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NTD20N06-1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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3945 pcs
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NTD20N06-1G Description détaillée

Numéro d'article NTD20N06-1G
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1015pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur I-Pak
Paquet / cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids -
Pays d'origine -

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