NSVMMUN2112LT1G

NSVMMUN2112LT1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NSVMMUN2112LT1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
112500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0554/pcs
Notre prix
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NSVMMUN2112LT1G Description détaillée

Numéro d'article NSVMMUN2112LT1G
État de la pièce Active
Type de transistor PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 22k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 22k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 246mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Poids -
Pays d'origine -

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