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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › NSVDTC123JET1G
NSVDTC123JET1G

NSVDTC123JET1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NSVDTC123JET1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS NPN 50V 0.1A SC75
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NSVDTC123JET1G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
511138 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0505/pcs
Notre prix
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NSVDTC123JET1G Description détaillée

Numéro d'article NSVDTC123JET1G
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 200mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-75, SOT-416
Package de périphérique fournisseur SC-75, SOT-416
Poids -
Pays d'origine -

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