| Numéro d'article | NSVBC114EDXV6T1G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
| Résistance - Base (R1) (Ohms) | 10k |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) | 10k |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500nA |
| Fréquence - Transition | - |
| Puissance - Max | 500mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-563, SOT-666 |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-563 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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NSVBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563 | Détails |
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NSVBC114EPDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS NPN/PNP BIAS SOT563 | Détails |
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NSVBC143TPDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 | Détails |
