NSVB114YPDXV6T1G - ON Semiconductor

Numéro d'article	NSVB114YPDXV6T1G
État de la pièce	Active
Type de transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500nA
Fréquence - Transition	-
Puissance - Max	500mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur	SOT-563
Poids	-
Pays d'origine	-