| Numéro d'article | NSBA113EDXV6T1 |
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| État de la pièce | Obsolete |
| Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
| Résistance - Base (R1) (Ohms) | 1k |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) | 1k |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500nA |
| Fréquence - Transition | - |
| Puissance - Max | 500mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-563, SOT-666 |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-563 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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NSBA113EDXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | Détails |
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NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP | Détails |
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NSBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | Détails |
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NSBA114EDXV6T5 | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | Détails |
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