NJX1675PDR2G

NJX1675PDR2G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NJX1675PDR2G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
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1 Day
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Prix ​​de référence
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NJX1675PDR2G Description détaillée

Numéro d'article NJX1675PDR2G
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN, PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 3A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V
Puissance - Max 2W
Fréquence - Transition 100MHz, 120MHz
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Poids -
Pays d'origine -

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