NGTG15N60S1EG

NGTG15N60S1EG - ON Semiconductor

Numéro d'article
NGTG15N60S1EG
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
18829 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.42/pcs
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NGTG15N60S1EG Description détaillée

Numéro d'article NGTG15N60S1EG
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 15A
Puissance - Max 117W
Échange d'énergie 550µJ (on), 350µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 88nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 65ns/170ns
Condition de test 400V, 15A, 22 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-220-3
Package de périphérique fournisseur TO-220
Poids -
Pays d'origine -

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