NGTD20T120F2WP - ON Semiconductor

Numéro d'article	NGTD20T120F2WP
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	-
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 20A
Puissance - Max	-
Échange d'énergie	-
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	-
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	-
Condition de test	-
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	Die
Package de périphérique fournisseur	Die
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NGTD20T120F2SWK	ON Semiconductor	IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE	Détails
NGTD20T120F2WP	ON Semiconductor	IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE	Détails
NGTD21T65F2SWK	ON Semiconductor	IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE	Détails
NGTD21T65F2WP	ON Semiconductor	IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE	Détails
NGTD23T120F2SWK	ON Semiconductor	IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE	Détails
NGTD23T120F2WP	ON Semiconductor	IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE	Détails
NGTD28T65F2SWK	ON Semiconductor	IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE	Détails
NGTD28T65F2WP	ON Semiconductor	IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE	Détails