NGTB40N120FL2WG

NGTB40N120FL2WG - ON Semiconductor

Numéro d'article
NGTB40N120FL2WG
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
IGBT 1200V 80A 535W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
195 pcs
Prix ​​de référence
USD 9.6/pcs
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NGTB40N120FL2WG Description détaillée

Numéro d'article NGTB40N120FL2WG
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Puissance - Max 535W
Échange d'énergie 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 313nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 116ns/286ns
Condition de test 600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 240ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids -
Pays d'origine -

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