NDS0610_NL - ON Semiconductor

Numéro d'article	NDS0610_NL
État de la pièce	Obsolete
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	120mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	79pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	360mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23-3
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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