NDF03N60ZH - ON Semiconductor

Numéro d'article	NDF03N60ZH
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.1A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	372pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220FP
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NDF02N60ZG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP	Détails
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