MCH6604-TL-E - ON Semiconductor

Numéro d'article	MCH6604-TL-E
État de la pièce	Not For New Designs
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.57nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6.6pF @ 10V
Puissance - Max	800mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur	6-MCPH
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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