J112-D26Z - ON Semiconductor

Numéro d'article	J112-D26Z
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS)	35V
Drain à la tension de source (Vdss)	-
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	5mA @ 15V
Drain de courant (Id) - Max	-
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id	1V @ 1µA
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Résistance - RDS (On)	50 Ohms
Puissance - Max	625mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Package de périphérique fournisseur	TO-92-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
J11.3300.01	STAUEU	J11.3300.01 STAUEU SOP-16 New Original Stocks	Détails
J110	Central Semiconductor Corp	JFET N-CH TO-92	Détails
J110,126	NXP USA Inc.	JFET N-CH 25V 0.4W SOT54	Détails
J1109	EXSHINE	Mini size of Discrete semiconductor elements	Détails
J110G	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 0.31W TO92	Détails
J110RLRAG	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 0.31W TO92	Détails
J110_D26Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 625MW TO92	Détails
J110_D75Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 625MW TO92	Détails
J111	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 35V 625MW TO92	Détails
J111,126	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V 400MW TO92-3	Détails