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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés › IMD10AMT1G
IMD10AMT1G

IMD10AMT1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
IMD10AMT1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
290149 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0934/pcs
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IMD10AMT1G Description détaillée

Numéro d'article IMD10AMT1G
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 13k, 130
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 285mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-74, SOT-457
Package de périphérique fournisseur SC-74R
Poids -
Pays d'origine -

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