FW389-TL-2W - ON Semiconductor

Numéro d'article	FW389-TL-2W
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel
FET Caractéristique	Logic Level Gate, 4V Drive
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	225 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 10V
Puissance - Max	1.8W
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SOIC
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FW3840001	Diodes Incorporated	CRYSTAL 38.4MHZ 9PF SMD	Détails
FW3840001G	Diodes Incorporated	CRYSTAL CERAMIC SEAM2016 TR 3K	Détails
FW3840022Z	Diodes Incorporated	CRYSTAL CERAMIC SEAM2016 TR 3K	Détails
FW3840024Z	Diodes Incorporated	CRYSTAL CERAMIC SEAM2016	Détails
FW3840026Z	Diodes Incorporated	CRYSTAL CERAMIC SEAM2016 TR 3K	Détails
FW384WFIN1	Diodes Incorporated	CRYSTAL 38.4000MHZ 7PF SMD	Détails
FW389-TL-2W	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SOIC	Détails
FW389-TL-2WX	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 8SOIC	Détails