FDMC010N08LC - ON Semiconductor

Numéro d'article	FDMC010N08LC
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	11A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.9 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2135pF @ 40V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.3W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-PQFN (3.3x3.3)
Paquet / cas	8-PowerWDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FDMC007N08LC	ON Semiconductor	MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN	Détails
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