FDG6303N_G

FDG6303N_G - ON Semiconductor

Numéro d'article
FDG6303N_G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
INTEGRATED CIRCUIT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
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FDG6303N_G Description détaillée

Numéro d'article FDG6303N_G
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Puissance - Max 300mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SC-88 (SC-70-6)
Poids -
Pays d'origine -

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