FCPF11N65

FCPF11N65 - ON Semiconductor

Numéro d'article
FCPF11N65
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 650V 11A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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25712 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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FCPF11N65 Description détaillée

Numéro d'article FCPF11N65
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Vgs (Max) -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 36W (Tc)
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220F
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
Poids -
Pays d'origine -

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