EMF18XV6T5G

EMF18XV6T5G - ON Semiconductor

Numéro d'article
EMF18XV6T5G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
60000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1253/pcs
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EMF18XV6T5G Description détaillée

Numéro d'article EMF18XV6T5G
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V, 60V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 47k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 140MHz
Puissance - Max 500mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur SOT-563
Poids -
Pays d'origine -

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