CS8312YDR8

CS8312YDR8 - ON Semiconductor

Numéro d'article
CS8312YDR8
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
CS8312YDR8 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Durée de conservation
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3568 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour CS8312YDR8

CS8312YDR8 Description détaillée

Numéro d'article CS8312YDR8
État de la pièce Obsolete
Configuration pilotée Low-Side
Type de canal Single
Nombre de pilotes 1
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 7 V ~ 10 V
Tension logique - VIL, VIH -
Courant - sortie de crête (source, évier) -
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR CS8312YDR8