BSS110 - ON Semiconductor

Numéro d'article	BSS110
État de la pièce	Obsolete
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	170mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-92-3
Paquet / cas	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BS	SEMTECH	SILICON PLANAR ZENER DIODE	Détails
BS-1	Omron Automation and Safety	ELECTRODE HOLDER HI TEMP/PRESS	Détails
BS-100.000MBB-T	TXC CORPORATION	OSC SO 100.000MHZ LVPECL SMD	Détails
BS-100.000MBC-T	TXC CORPORATION	OSC SO 100.000MHZ LVPECL SMD	Détails
BS-100.000MCB-T	TXC CORPORATION	OSC SO 100.000MHZ LVPECL SMD	Détails
BS-100.000MCC-T	TXC CORPORATION	OSC SO 100.000MHZ LVPECL SMD	Détails
BS-106.250MBC-T	TXC CORPORATION	OSC SO 106.25MHZ LVPECL SMD	Détails
BS-106.250MCC-T	TXC CORPORATION	OSC SO 106.25MHZ LVPECL SMD	Détails
BS-125.000MBC-T	TXC CORPORATION	OSC SO 125.000MHZ LVPECL SMD	Détails
BS-125.000MCC-T	TXC CORPORATION	OSC SO 125.000MHZ LVPECL SMD	Détails