ADP3412JR

ADP3412JR - ON Semiconductor

Numéro d'article
ADP3412JR
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
IC MOSFET DVR DUAL N-CH 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
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1 Day
Code de date
New
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3642 pcs
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ADP3412JR Description détaillée

Numéro d'article ADP3412JR
État de la pièce Obsolete
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Synchronous
Nombre de pilotes 2
Type de porte N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 4.15 V ~ 7.5 V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2V
Courant - sortie de crête (source, évier) -
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 30V
Rise / Fall Time (Typ) 20ns, 20ns
Température de fonctionnement 0°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Poids -
Pays d'origine -

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