5LP01C-TB-E - ON Semiconductor

Numéro d'article	5LP01C-TB-E
État de la pièce	Not For New Designs
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	70mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7.4pF @ 10V
Vgs (Max)	±10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 Ohm @ 40mA, 4V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	3-CP
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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