SI9936DY,518

SI9936DY,518 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
SI9936DY,518
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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SI9936DY,518 Description détaillée

Numéro d'article SI9936DY,518
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 900mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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