PMWD16UN,518

PMWD16UN,518 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
PMWD16UN,518
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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PMWD16UN,518 Description détaillée

Numéro d'article PMWD16UN,518
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 23.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1366pF @ 16V
Puissance - Max 3.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-TSSOP
Poids -
Pays d'origine -

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