MRFE6VP6600GNR3

MRFE6VP6600GNR3 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
MRFE6VP6600GNR3
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
TRANS RF LDMOS 600W 50V
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
MRFE6VP6600GNR3.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
292 pcs
Prix ​​de référence
USD 92.532/pcs
Notre prix
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MRFE6VP6600GNR3 Description détaillée

Numéro d'article MRFE6VP6600GNR3
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 230MHz
Gain 24.7dB
Tension - Test 50V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 100mA
Puissance - Sortie 600W
Tension - Rated 133V
Paquet / cas OM-780G-4L
Package de périphérique fournisseur OM-780G-4L
Poids -
Pays d'origine -

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