| Numéro d'article | MRF6V2300NBR1 |
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| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type de transistor | LDMOS |
| La fréquence | 220MHz |
| Gain | 25.5dB |
| Tension - Test | 50V |
| Note actuelle | - |
| Figure de bruit | - |
| Actuel - Test | 900mA |
| Puissance - Sortie | 300W |
| Tension - Rated | 110V |
| Paquet / cas | TO-272BB |
| Package de périphérique fournisseur | TO-272 WB-4 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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MRF6V10010NR4 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 | Détails |
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MRF6V10250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | Détails |
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MRF6V10250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | Détails |
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MRF6V12250HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | Détails |
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MRF6V12250HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | Détails |
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MRF6V12250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | Détails |
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MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | Détails |
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MRF6V12500GSR5 | NXP USA Inc. | PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE | Détails |
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MRF6V12500HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | Détails |
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MRF6V12500HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | Détails |
