• France
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - RF › MHT1108NT1
MHT1108NT1

MHT1108NT1 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
MHT1108NT1
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
MHT1108NT1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
22202 pcs
Prix ​​de référence
USD 7.41502/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour MHT1108NT1

MHT1108NT1 Description détaillée

Numéro d'article MHT1108NT1
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 2.45GHz
Gain 18.6dB
Tension - Test 32V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 110mA
Puissance - Sortie 12.5W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas 16-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 16-DFN (4x6)
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR MHT1108NT1

Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
MHT1000HR5 MHT1000HR5 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ NI880 Détails
MHT1001HR5 MHT1001HR5 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ Détails
MHT1002GNR3 MHT1002GNR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 915MHZ 780-4GW Détails
MHT1002NR3 MHT1002NR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 915MHZ 780-4 Détails
MHT1003NR3 MHT1003NR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ Détails
MHT1004GNR3 MHT1004GNR3 NXP USA Inc. RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450 Détails
MHT1004NR3 MHT1004NR3 NXP USA Inc. RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450 Détails
MHT1006NT1 MHT1006NT1 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W Détails
MHT1008NT1 MHT1008NT1 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ Détails
MHT1108NT1 MHT1108NT1 NXP USA Inc. RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO Détails