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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - RF › BFU580GX
BFU580GX

BFU580GX - NXP USA Inc.

Numéro d'article
BFU580GX
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
TRANS RF NPN 12V 60MA SOT223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BFU580GX Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
BFU580GX.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.352/pcs
Notre prix
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BFU580GX Description détaillée

Numéro d'article BFU580GX
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 12V
Fréquence - Transition 11GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.4dB @ 1.8GHz
Gain 10.5dB
Puissance - Max 1W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 30mA, 8V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60mA
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA
Package de périphérique fournisseur SOT-223
Poids -
Pays d'origine -

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Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
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