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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - RF › A3T21H360W23SR6
A3T21H360W23SR6

A3T21H360W23SR6 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
A3T21H360W23SR6
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
A3T21H360W23SR6 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1700 pcs
Prix ​​de référence
USD 96.7176/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

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A3T21H360W23SR6 Description détaillée

Numéro d'article A3T21H360W23SR6
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 2.11GHz ~ 2.2GHz
Gain 16.4dB
Tension - Test 28V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 600mA
Puissance - Sortie 328W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas ACP-1230S-4L2S
Package de périphérique fournisseur ACP-1230S-4L2S
Poids -
Pays d'origine -

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