| Numéro d'article | A2T27S007NT1 |
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| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | LDMOS |
| La fréquence | 728MHz ~ 3.6GHz |
| Gain | - |
| Tension - Test | - |
| Note actuelle | - |
| Figure de bruit | - |
| Actuel - Test | - |
| Puissance - Sortie | 28.8dBm |
| Tension - Rated | 28V |
| Paquet / cas | 16-VDFN Exposed Pad |
| Package de périphérique fournisseur | 16-DFN (4x6) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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A2T20H160W04NR3 | NXP USA Inc. | RF TRANS 2.0GHZ 160W OM780-4L | Détails |
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A2T20H330W24NR6 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | Détails |
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A2T20H330W24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Détails |
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A2T21H100-25SR3 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS TRANS CELL | Détails |
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A2T21H140-24SR3 | NXP USA Inc. | RF FET 2.1GHZ 140W NI780S-4L2L | Détails |
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A2T21H360-23NR6 | NXP USA Inc. | RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S | Détails |
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A2T21H360-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Détails |
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A2T21H410-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Détails |
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A2T21H450W19SR6 | NXP USA Inc. | 2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S | Détails |
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A2T21S160-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Détails |
