A2T09VD250NR1

A2T09VD250NR1 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
A2T09VD250NR1
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
IC TRANS RF LDMOS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
A2T09VD250NR1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
293 pcs
Prix ​​de référence
USD 91.08/pcs
Notre prix
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A2T09VD250NR1 Description détaillée

Numéro d'article A2T09VD250NR1
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 920MHz
Gain 22.5dB
Tension - Test 48V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 1A
Puissance - Sortie 65W
Tension - Rated 105V
Paquet / cas TO-270-6 Variant, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur TO-270WB-6A
Poids -
Pays d'origine -

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