A2I08H040GNR1

A2I08H040GNR1 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
A2I08H040GNR1
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
IC RF LDMOS AMP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
A2I08H040GNR1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
A2I08H040GNR1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
822 pcs
Prix ​​de référence
USD 31.716/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour A2I08H040GNR1

A2I08H040GNR1 Description détaillée

Numéro d'article A2I08H040GNR1
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 920MHz
Gain 30.7dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 25mA
Puissance - Sortie 9W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas TO-270-15 Variant, Gull Wing
Package de périphérique fournisseur TO-270WBG-15
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR A2I08H040GNR1