| Numéro d'article | PSMN3R5-40YSDX |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 120A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3245pF @ 20V |
| FET Caractéristique | Schottky Diode (Body) |
| Dissipation de puissance (Max) | 115W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paquet / cas | SC-100, SOT-669 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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PSMN3R0-30MLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | Détails |
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PSMN3R0-30YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Détails |
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PSMN3R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Détails |
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PSMN3R0-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | Détails |
_SOT226%20Pkg.jpg "PSMN3R0-60ES,127") |
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PSMN3R0-60PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB | Détails |
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PSMN3R2-25YLC,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Détails |
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PSMN3R2-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Détails |
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PSMN3R3-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V LFPAK | Détails |
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PSMN3R3-60PLQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 130A TO-220 | Détails |
