| Numéro d'article | PSMN1R1-25YLC,115 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 25V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5287pF @ 12V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 215W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15 mOhm @ 25A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paquet / cas | SC-100, SOT-669 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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PSMN1R1-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Détails |
_SOT226%20Pkg.jpg "PSMN1R1-30EL,127") |
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