PQMD12Z

PQMD12Z - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PQMD12Z
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.35W 6DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
25000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1035/pcs
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PQMD12Z Description détaillée

Numéro d'article PQMD12Z
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 47k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition 230MHz, 180MHz
Puissance - Max 350mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-XFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur DFN1010B-6
Poids -
Pays d'origine -

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