PMN42XPEAH - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	PMN42XPEAH
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	17.3nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1410pF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	6-TSOP
Paquet / cas	SC-74, SOT-457
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PMN40ENEX	Nexperia USA Inc.	PMN40ENE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *	Détails
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PMN40UPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP	Détails
PMN40UPEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SC-74	Détails
PMN42XPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP	Détails
PMN42XPEAH	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP	Détails
PMN42XPEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SC-74	Détails
PMN45EN	NXP	PMN45EN NXP SOT23-.. New Original Stocks	Détails
PMN45EN,135	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP	Détails