PMN120ENEX

PMN120ENEX - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PMN120ENEX
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
MOSFET N-CH 60V 3.1A 6TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
PMN120ENEX Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1406305 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.11708/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour PMN120ENEX

PMN120ENEX Description détaillée

Numéro d'article PMN120ENEX
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 123 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.4W (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-TSOP
Paquet / cas SC-74, SOT-457
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR PMN120ENEX