PMDT290UNE,115

PMDT290UNE,115 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PMDT290UNE,115
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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205696 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1242/pcs
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PMDT290UNE,115 Description détaillée

Numéro d'article PMDT290UNE,115
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.68nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 83pF @ 10V
Puissance - Max 500mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur SOT-666
Poids -
Pays d'origine -

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