PHN210T,118

PHN210T,118 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PHN210T,118
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6250 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2629/pcs
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PHN210T,118 Description détaillée

Numéro d'article PHN210T,118
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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