PEMD6,115

PEMD6,115 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PEMD6,115
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
350404 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0741/pcs
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PEMD6,115 Description détaillée

Numéro d'article PEMD6,115
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1µA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 300mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur SOT-666
Poids -
Pays d'origine -

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