PDTD123EQAZ

PDTD123EQAZ - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PDTD123EQAZ
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
474015 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0533/pcs
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PDTD123EQAZ Description détaillée

Numéro d'article PDTD123EQAZ
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 2.2k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 210MHz
Puissance - Max 325mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 3-XDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur DFN1010D-3
Poids -
Pays d'origine -

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