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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices › PBSS4160PANSX
PBSS4160PANSX

PBSS4160PANSX - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PBSS4160PANSX
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
PBSS4160PANSX Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
PBSS4160PANSX.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
136849 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1865/pcs
Notre prix
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PBSS4160PANSX Description détaillée

Numéro d'article PBSS4160PANSX
État de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 1A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 120mV @ 50mA, 500mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 2V
Puissance - Max 370mW
Fréquence - Transition 175MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-UDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur DFN2020D-6
Poids -
Pays d'origine -

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