BUK9107-55ATE,118 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	BUK9107-55ATE,118
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	108nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5836pF @ 25V
Vgs (Max)	±15V
FET Caractéristique	Temperature Sensing Diode
Dissipation de puissance (Max)	272W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2 mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-426
Paquet / cas	TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	BUK9107-40ATC,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	Détails
	BUK9107-55ATE,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	Détails