BUK7Y3R5-40HX - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	BUK7Y3R5-40HX
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	120A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Vgs (Max)	+20V, -10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3441pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	115W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Paquet / cas	SC-100, SOT-669
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BUK7Y07-30B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK	Détails
BUK7Y08-40B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK	Détails
BUK7Y08-40B/C,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK	Détails
BUK7Y10-30B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK	Détails
BUK7Y102-100B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK	Détails
BUK7Y113-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK	Détails
BUK7Y12-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK	Détails
BUK7Y12-40EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK	Détails
BUK7Y12-55B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK	Détails
BUK7Y12-80EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V LFPAK	Détails